عیق
- اخبار

ساخت ترانزیستورهای ۵۰ نانومتری با مقاومت تماس بسیار پایین
پژوهشگران با ابداع روش تبخیر مرحلهای موفق به رشد فلزات تکبلوری روی نیمهرساناها شدند که مقاومت تماس ترانزیستورهای نانومقیاس را…

پژوهشگران با ابداع روش تبخیر مرحلهای موفق به رشد فلزات تکبلوری روی نیمهرساناها شدند که مقاومت تماس ترانزیستورهای نانومقیاس را…