تولید لایه‌نازک مغناطیسی با ساختار کنترل شده
در این روش لایه‌های نانومقیاس روی هم قرار گرفته و با کنترل جهت‌گیری مغناطیسی، ساختار جدیدی بدست آمده است که می‌تواند برای تولید حافظه مورد استفاده قرار گیرد.
محققان دانشگاه توئنته هلند با همکاری پژوهشگرانی از موسسه تحقیقاتی MESA روشی برای تولید مواد مغناطیسی ارائه کردند که در آن جهت‌گیری مواد مغناطیسی قابل کنترل است. وجود لایه‌های نانومقیاس به ضخات 0.4 نانومتر کلید موفقیت این پروژه است. از این مواد در طیف وسیعی از حوزه‌ها از اسپینترونیک گرفته تا حافظه‌های کامپیوترها می‌توان استفاده کرد.
نتایج این پروژه در قالب مقاله‌ای با عنوان ("Controlled lateral anistropy in correlated manganite heterostructures by interface-engineered oxygen octahedral coupling" در نشریه Nature Materials منتشر شده‌است.
در این مقاله پژوهشگران نشان دادند که چگونه می‌توان با استفاده از لایه‌های نانومقیاس با ضخامتی در حد یک اتم ترکیبات جدیدی ایجاد کرد که در آن جهت‌گیری مغناطیسی به شکل کاملا دقیقی قابل کنترل است. چنین ترکیبی برای تولید حافظه بسیار مناسب بوده و قابل استفاده در حوزه اسپینترونیک است.
پژوهشگران این پروژه لایه‌های نازکی از جنس پروسکیت را با ضخامت نانومتری تهیه کرده و روی هم قرار دادند. با استفاده از لایه‌های پروسکیت می‌توان جهت‌گیری مغناطیسی ماده نهایی را به دلخواه دستکاری کرد. در این روش با تغییر مکان لایه پروسکیت و استفاده از این لایه‌ها روی هم، جهت‌گیری مغناطیسی منطقه‌ای محصول قابل کنترل است.
این روش قبلا برای لایه‌های ضخیم انجام شده بود اما برای لایه‌های نانومقیاس به صورت کنترل شده و دقیق انجام نشده بود.
به گزارش ستاد توسعه فناوری نانو،در این پروژه محققان موسسه MESA، دانشگاه آنتورپ در بلژیک، دانشگاه بریتیش کلمبیا در کانادا و دانشگاه صنعتی وین دراتریش نیز همکاری داشتند. دانشگاه توئنته مسئول ایجاد ماده نهایی بوده، محققان دانشگاه آنتورپ مسئولیت تصویربرداری از این ماده در مقیاس اتمی را به عهده داشته و محققان کانادایی، برش‌های مقطعی این ماده مغناطیسی را تهیه کردند در حالی که محققان استرالیایی روی بخش محاسبات و مدل‌سازی کار کردند.
