انقلابی در فناوری های الکترونیکی با ترانزیستورهای انعطاف پذیر
اما دانشمندان علم مواد دانشگاه ماساچوست امهرست اعلام کردند که هنوز اطلاعاتی در مورد اینکه چگونه خم شدن دستگاه‌های جدید فیلم نازک الکترونیکی می‌تواند بر عملکردشان تاثیر بگذارد به دست نیامده است.
آلخاندرو بریزنو و آلفرد کراسبی، دو دانشمند پلیمر دانشگاه ماساچوست امهرست، به همراه مارکوس ریس مارتینز، پژوهشگر دانشگاه پرینستون، نتایج بررسی‌های اخیر خود در مورد اینکه «چگونه چروک‌های میکرو مقیاس می‌توانند بر عملکرد الکتریکی نیمه‌هادی‌های تک کریستالی مبتنی بر کربن تاثیر بگذارند» را در مجله نیچر کامیونیکیشن منتشر کردند.
ریس مارتینز می‌گوید: «آنها برای اولین بار تغییر شکل‌های ناهمگنی به کانال هدایت یک ترانزیستور آلی اعمال کردند تا درک بهتری نسبت به آثار مشاهده شده به دست بیاورند.»
همچنین او توضیح می دهد: «این تحقیق به صنعت فناوری امروزی مرتبط است، چرا که منطق تمام لوازم الکترونیکی که استفاده می‌کنیم بر اساس ترازیستورها پایه‌ریزی شده است. برای مثال هر پیکسل کوچکی که تصویر را روی صفحه تلفن‌های هوشمند ایجاد می‌کند توسط صدها هزار و یا حتی میلیون‌ها ترانزیستور کوچک روشن و خاموش می‌شود.»
او اضافه می‌کند که: «به طور معمول ترانزیستور‌ها سخت یا صلب هستند و از مواد معدنی مانند سیلیکون ساخته می‌شوند.» ما در حال حاضر روی یک نیمه هادی بلوری به نامrubrene، کار می‌کنیم که ماده‌ای مبتنی بر کربن آلی و دارای فاکتورهای عملکرد، از جمله موبیلیتی حامل بار است و از فاکتورهای اندازه‌گیری شده در سیلیکن آمورف بهتر هستند. نیمه‌هادی‌های آلی جایگزین مناسبی برای سیلیکون هستند، به دلیل اینکه ویژگی‌های آنها را می توان تنظیم کرد تا به راحتی پردازش شوند. این ویژگی باعث می‌شود نیمه‌هادی‌های آلی را بتوان برای پوشاندن انواع سطوح، از جمله بسترهای نرم در دماهای نسبتا پایین استفاده کرد. در نتیجه پیش‌بینی می‌شود که دستگاه‌های مبتنی بر نیمه‌هادی‌های آلی ارزان تر باشند زیرا به دمای بالا، اتاق تمیز و مراحل پردازش گران‌قیمت مانند سیلیکون نیاز ندارند.»
No tags for this post.
