ساخت ترانزیستورهای اثرمیدان روی زیرلایه‌های انعطاف‌پذیر
روش‌های تولید نانوساختارها معمولاً به این شکل است که یک ساختار روی زیرلایه‌ای تولید شده و سپس با استفاده از فرآیند دیگری، آن را به جای مورد نظر انتقال می‌دهند. لیتوگرافی نانوچاپ (NIL) از جمله فرآیندهای انتقال الگو است که در آن از پلی‌متیل متا‌آکریلات یا استمپ‌هایی از جنس پلی‌دی‌متیل سیلوکسان استفاده می‌شود.
در حوزه الکترونیک انعطاف‌پذیر از روش‌های انتقال چاپی برای تولید نانوغشاءها یا نانوروبان‌ها روی سطح یک پلیمر استفاده می‌شود. متأسفانه این روش‌ها متکی بر زیرلایه‌های غیرمعمول و گرانقیمت است.
اخیراً محققان روشی ساده‌تر برای انتقال ساده این ساختارها ارائه کردند و در نهایت موفق به تولید ترازیستورهای اثرمیدان نانومقیاس روی سطح کاغذ، چوب، سنگ و منسوجات شدند.
محمد مصطفی حسین از محققان دانشگاه ملک عبدالله عربستان می‌گوید: «روش ساده‌ای که ما ارائه کردیم می‌تواند مواد نرم را با ترانزیستورهای اثرمیدان غیرخطی ترکیب کند و همچنین امکان تولید ادوات MOSFET را روی سطوح مختلف انحنادار فراهم آورد. با این روش امکان تولید محصولاتی فراهم می‌شود که حتی با خم شدن نیز کارایی خود را از دست نمی‌دهند. استفاده از مواد نرم نظیر پلیمرها، شرایط را برای ساخت لایه‌های مستحکمی فراهم می‌آورد که هم در برابر فشار مقاوم هستند و هم بسیار نازک و انعطاف‌پذیراند.»
در این پروژه از یک لایه نازک PDMS به عنوان زیرلایه استفاده شده که خواص مکانیکی و عایق بسیار مناسبی داشته و زیست‌سازگار است. علاوه‌بر این، این ترکیب ارزان، شفاف و قابلیت کشیده شدن را دارد.
در حال حاضر محققان این پروژه در حال استفاده از این ترانزیستور برای ساخت تراشه و حافظه هستند. آن‌ها به دنبال تولید ساختارهای الکترونیکی سه بعدی با این روش هستند.
