به کارگیری فناوری «پرتو اتمی خنثی شتاب‌یافته» در صنعت نانوالکترونیک
فناوری ANAB یک راهبرد پتنت شده منحصر به فرد است که برای اصلاح سطوح و کنترل آن در مقیاس اتمی با عمق نانومتری استفاده می‌شود.شرکت سیماتک (SEMATECH) و اگزوجینسیس (Exogenesis) همکاری مشترک برای تجاری‌سازی فناوری پرتو اتمی خنثی شتاب‌یافته (ANAB) آغاز کردند. این فناوری که در اختیار شرکت اگزوجینسیس است می‌تواند در صنعت نانوالکترونیک کاربرد وسیعی داشته باشد.
صنعت ساخت تراشه در مرحله‌ای است که پردازش در مقیاس اتمی اتفاق می‌افتد. فناوری ANAB می‌تواند برای کنترل بهتر ساخت تراشه‌ها و ادوات نیمه‌هادی مورد استفاده قرار گیرد. برای تجاری‌سازی این فناوری، این دو شرکت اقدام به تاسیس یک شرکت جدید کرده‌اند. هر چند در ابتدا تمرکز روی ساخت مدارات الکترونیکی بود، اما این دو شرکت قصد دارند تا از این فناوی جدید در صنعت نانوالکترونیک استفاده کنند. این روند می‌تواند منجر به تاسیس شرکت‌های بیشتری توسط آنها شود.
فناوری ANAB یک راهبرد پتنت شده منحصر به فرد است که برای اصلاح سطوح و کنترل آن در مقیاس اتمی با عمق نانومتری استفاده می‌شود. ریچارد سرولگا مدیرعامل شرکت اگزوجنسیس می‌گوید: « هیچ فناوری دیگری وجود ندارد که بتواند عملکردی مشابه ANAB داشته باشد.»
اصلاح شیمیایی، زدایش مواد از سطح، لایه نشانی، صاف کردن سطح و کنترل مورفولوژی سطح از جمله کاربردهای ممکن این فناوری است. ANAB در حال حاضر برای حوزه زیست‌پزشکی استفاده می‌شود به طوری که از آن برای کنترل خواص مواد زیستی و دارو بهره‌برداری می‌شود. تحقیقات نشان داده که از این فناوری می‌توان روی مواد مختلف نظیر شیشه، فلز، مواد آلی، نیمه‌هادی و پلیمری استفاده کرد.
اد بارث مدیرعامل شرکت سیماتک می‌گوید: « سیماتک و اگزوجنسیس از سال 2013 با هم همکاری دارند که این همکاری برای انطباق فناوری شرکت سیماتک در صنعت نیمه‌هادی است. این همکاری مشترک موجب افزایش کارایی و عملکرد سیستم ANAB در غشاءهای سیلیکونی شفاف لایه نازک شده است.»
به گزارش ستاد توسعه فناوری نانو،سیماتک در ایالت نیویورک واقع شده و یکی از تولیدکنندگان تجهیزات صنعت نیمه‌هادی است. اگزوجنسیس نیز در ایالت ماساچوست بوده و در حوزه پرتوهای شتاب‌یافته برای اصلاح سطح بدون نیاز به پوشش فعالیت دارد.
