تراشههای الکترونیکی روی قطعات کوچک سیلیکون که از صفحههای بزرگ سیلیکون به نام ویفر بریده میشوند، طی فرآیندی به نام «قطعه کردن» (dicing) ساخته میشوند. در حال حاضر فرآیند قطعه کردن توسط اره های مکانیکی یا دستگاه های برش لیزری صورت میگیرد. اما این روشها میتوانند دردسر ساز باشند. اره مکانیکی میتواند موجب شکستن یا جدا شدن لایههای صفحات سیلیکونی شود. همچنین حرارت برش لیزری میتواند منجر به ایجاد ترکهای ریز در سیلیکون و باقی ماندن خردههای ذوب شده گردد. در این صورت نیاز به مواد سرد کننده یا پوششهای محافظ وجود دارد که هزینهها را افزیش میدهد.
از این رو گروهی از پژوهشگران آژانس علوم، فناوری و تحقیقات موسسه فناوری تولیدات سنگاپور، روش جدیدی با بهرهگیری از فناوری شکست حرارتی لیزر ارائه دادند. در این روش سیلیکون حین حرارت توسط لیزر فروسرخ نزدیک، منبسط میشود. سپس هنگام سرد شدن منقبض شده و در همین حال تحت فشاری قرار میگیرد که منجر به شکستن سیلیکون در راستای خط لیزر میشود. در نتیجه یک تراشه سیلیکونی بدون ترک با سطح صاف حاصل خواهد شد. در این روش هیچ دورریزی ایجاد نمیشود و 10 تا 20 برابر سریعتر از روشهای موجود عمل میکند. همچنین مقدار تولیدات افزایش مییابند چرا که تعداد قطعات سیلیکونی بیشتری از یک ویفر به دست میآید. علاوه بر این مزایا با در نظر گرفتن مصرف انرژی کمتر توسط لیزر فروسرخ نزدیک، این روش نسبت به روشهای اره مکانیکی یا برش لیزری به مراتب بهینهتر است.
بنا به اظهارات گروه پژوهشگران، روش نوین ارائه شده برای قطعه کردن، موجب پیشرفته شدن تولید میکروتراشههای لوازم الکترونیکی خواهد شد، به گونهای که با امکان تولید تراشههای نازکتر با سرعت پردازش بالاتر، دستگاههای الکترونیکی کوچکتر و قدرتمندتری روانه بازار خواهند شد.