به گزارش سیناپرس به نقل از ایرنا، تاکنون گرمایش بیش از حد و مقیاس پذیری، دو مانع مهم تولید تراشه‌های تراهرتز بودند اما اکنون محققان به فناوری اپتیکی جدیدی دست یافتند که سرعت ارتباطات اپتیکی را با ضریب اطمینان و قابلیت تولید مقیاس پذیر مدارهای الکترونیکی ادغام می کند و امکان ساخت تراشه های تراهرتز را در اختیار می‌گذارد.
ارتباطات اپتیکی شامل فناوری‌هایی مانند اینترنت، پست الکترونیک، دیتاسنترها و تماس‌های تلفنی هستند که از نور برای انتقال داده‌ها از طریق فیبرهای نوری بهره می‌گیرند. ارتباطات اپتیکی بسیار سریع هستند، اما درون تراشه‌ها این نوع ارتباطات قابل اطمینان نیست و تولید آنها در مقیاس بزرگ، امری دشوار است.
اکنون محققان از ساختاری موسوم به MONOS(مخفف Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon) برای ساخت یک مدار مجتمع بر اساس فناوری حافظه‌های فلش بهره گرفتند. این فناوری امکان افزایش سرعت رایانه های 8 تا 16 گیگاهرتزی را تا 100 برابر فراهم و زمینه را برای تولید تراشه‌های تراهرتز مهیا کرده است.
این فناوری امکان تولید نسل جدیدی از تجهیزات بی‌سیم بسیار سریع و قدرتمند را فراهم می‌کند و موجب تحول صنایع الکترونیکی می‌شود.
گزارش کامل این تحقیقات در نشریه Laser and Photonics Review منتشر شده است.
No tags for this post.