نماد سایت خبرگزاری سیناپرس

گلکسی اس 9 را پادشاه حافظه داخلی می نامند!

به گزارش سیناپرس به نقل از کلیک،پس از آنکه سامسونگ چیپست Exynos 9810 را معرفی کرد؛ بسیاری از شایعات حکایت از آن داشت که این چیپست قوی در پرچم‌دار آینده شرکت یعنی Galaxy S9 استفاده می شود. اکنون هم شایعات جدید در خصوص حافظه داخلی فوق‌العاده این گوشی منتشر شده است.

جزئیات منتشر شده از حافظه ذخیره سازی 512GB of eUFS نشان می دهد که گلکسی اس 9 می تواند با سرعت 860 مگابایت بر ثانیه به ذخیره سازی اطلاعات بپردازند.

جاسو هان، معاون اجرایی سامسونگ با بیان اینکه یکی از چشم اندازهای این شرکت در بخش گوشی های هوشمند، رسیدن به سطح بالاتری از حافظه داخلی است، گفت: 512GB eUFS سامسونگ بهترین راه ذخیره سازی برای گوشی های هوشمند نسل بعد محسوب می‌شود. این نوع فضای ذخیره سازی محدودیت های احتمالی سیستم را که بر اثر استفاده از کارت های microSD به وجود می‌آمد، برطرف می‌کند.

وی در خصوص قابلیت های منحصر بفرد حافظه داخلی گلکسی اس 9 افزود: سامسونگ با تولید این حافظه ذخیره سازی پیشرفته، در تلاش است تا ساخت نسل بعدی تلفن های همراه در جهان را رقم بزند.

بر اساس جزئیات منتشر شده، حافظه داخلی گلکسی اس 9 شامل هشت لایه 64 گیگابایتی، تراشه V-NAND و یک تراشه کنترل کننده است که همگی با هم در یک قطعه جمع شده اند. این دو برابر قدرت قطعه قبلی سامسونگ یعنی eUFS 256GB است، اما در همان ابعاد ساخته می شود.

با توجه به اطلاعات منتشر شده کاربران با این قطعه جدید سامسونگ، مزایای زیر را دریافت می کنند:

پیش بینی می شود که در نمایشگاه MWC بارسلون (فوریه 2018)، Galaxy S9 پرچم‌دار جدید کره‌ای‌ها به‌صورت رسمی رونمایی شود. احتمالاً این گوشی به دوربین دوگانه مجهز خواهد شد و حس‌گر اثرانگشت آن به زیر دوربین اصلی انتقال می‌یابد و مانند نسل قبل، انتظار داریم Galaxy S9 در دو مدل یعنی Galaxy S9 و Galaxy S9 به‌صورت رسمی رونمایی شود.

No tags for this post.
خروج از نسخه موبایل