محققان دانشگاه ایلینویز موفق به ساخت سلول حافظه نانوسیمی شدند که می‌توان از آن برای ساخت حافظه‌های جدید در کامپیوترهای بسیار سریع استفاده کرد.
این فناوری توسط الکسی بزیریادین و همکارانش در دپارتمان فیزیک این دانشگاه ارائه شده‌است. البته در بخش نظری و تئوری این فناوری، دیمیتری آورین و همکارانش از دانشگاه نیویورک نیز در این پروژه مشارکت داشتند.
این سلول حافظه نانوسیمی از دو نانوسیم ابررسانا تشکیل شده‌است که به دو الکترود متصل است. این ابزار با استفاده از لیتوگرافی و با کمک روش پرتو الکترونی ساخته می‌شود.
این الکترود و سلول‌های حافظه نانوسیمی تشکیل یک لوپ ابررسانای بسته نامتقارن را می‌دهند که به آن ابزار تداخلی کوانتومی ابررسانا یا SQUID گفته می‌شود. جهت جریان عبوری از این لوپ شبیه به ساختار سامانه‌های دوتایی صفر و یکی است.
نتایج این پروژه در نشریه New Journal of Physic منتشر شده‌است.
بزیریادین می‌گوید: « این دستاورد بسیار جذاب و هیجان‌انگیز است. چنین سلول‌های ابررسانایی می‌تواند تا ابعاد چند ده نانومتری کوچک شود.»
بزیریادین از مخترعان این فناوری است. پیش از این اختراع، کاهش ابعاد سلول‌های حافظه تا رسیدن به مقیاس نانومتری یک چالش بزرگ محسوب می‌شد و دانشمندان در ساخت حافظه‌هایی برای ابرکامپیوترها که بتواند بدون گرم شدن عملیات محاسباتی را انجام دهند، با مشکل مواجه بودند. این سلول حافظه نانوسیمی می‌تواند نقش مهمی در تولید ابرکامپیوترها ایفا کند و در نهایت منجر به ساخت کامپیوترهای سریع‌تر و قدرتمندتر شود. این حافظه‌ها از حافظه‌های رایج پایداری بیشتری دارند.
این حافظه نانوسیمی می‌تواند ابعاد ابرکامپیوترها را کاهش داده و تولید انبوه آنها را مقرون به صرفه‌تر کند. براساس اظهارات محققان این پروژه، ساخت این سلول‌های حافظه‌ای نیاز به ترکیبات فرومغناطیس ندارد در حالی که در حافظه‌هایی که در حال حاضر استفاده می‌شود مواد فرومغناطیس به کار گرفته می‌شود.