مؤسسه ملی علوم مواد (NIMS)، آزمایشگاه رادرفورد اپلتون در بریتانیا و دانشگاه آکسفورد در بریتانیا به طور تجربی تأیید کرده‌اند که اکسید مس در دمای اتاق تحت فشار بالا حالت چند فرویکی (یعنی خواص مغناطیسی و فروالکتریکی) از خود نشان می‌دهد.
انتظار می رود مدل نظری ساخته شده در این تحقیق توسعه نسل بعدی دستگاه های حافظه و تعدیل کننده های نوری را تسهیل کند.
مواد چند فروئیک به طور بالقوه برای توسعه دستگاه های حافظه نسل بعدی و تعدیل کننده های نوری کارآمد قابل استفاده هستند. با این حال، از آنجایی که بیشتر این مواد فقط در دماهای زیر 100 کلوین کارایی دارند، دانشمندان سال‌ها تلاش کرده بودند تا خواص چند فرویکی را در دمای اتاق از خود نشان دهند،این یک نیاز برای دستگاه‌هایی است که باید در دمای محیط کار کنند.
تیم تحقیقاتی یک ژنراتور با فشار بالا را توسعه دادند که اندازه گیری اسپین اتمی را در فشار بالا نیز امکان پذیر می کند. با استفاده از این دستگاه، این تیم از طریق آزمایش‌های پراش نوترون تأیید کردند که اکسید مس می‌تواند حالت چند فروئیک را در دمای اتاق تحت فشار بالا نشان دهد.
علاوه بر این، NIMS یک روش محاسباتی جدید توسعه داد و از آن برای ساخت یک مدل نظری استفاده کرد که انتظار می‌رود توسعه مواد چند فرووئیکی در دمای اتاق را تسهیل کند. این روش محاسبه به گونه ای طراحی شده است که بدون نیاز به تعداد زیادی مفروضات از پیش تعیین شده مربوط به قدرت برهمکنش های مغناطیسی که بین یون های خاص مس تحت فشار بالا اتفاق می افتد، به طور موثر عمل کند.
ترکیب اکسید مس تنها زمانی که تحت فشار بالای 18.5 گیگا پاسکال (185000 اتمسفر) قرار می‌گیرد، می‌تواند حالت چند فرووئیکی خود را در دمای اتاق نشان دهد. لایه‌های نازک متشکل از کریستال‌های تغییر شکل یافته شده رشد یافته مطابق با مدل نظری ممکن است به طور بالقوه قادر به نشان دادن چنین ویژگی‌هایی در فشار اتمسفر محیط باشند.
منبع :phys.org
مترجم: سید سپهر ارومیهء