این سیمها توسط محققان مرکز تحقیقاتی واتسون و به عنوان تلاشی برای درک اینکه چگونه ترانزیستورها می‌توانند از پایه و اساس ساخته شوند، توسعه یافته‌اند.
محققان در یک سری از آزمایشات به شرح چگونگی پرورش این سیمها پرداخته‌اند. آنها از یک بستر تخت که با ذرات پرورش دهنده این سیمها پر شده بود استفاده کردند و سپس موادی را که تمایل داشتند این سیمها از آن رشد کنند را به این سطح اضافه کردند.آنها در این آزمایشات از طلا برای تحریک واکنش و احاطه آن با تری‌متیل‌گالیم و گازهای بی‌رنگ آرسین ، برای ایجاد یک سیم آرسنید گالیم استفاده کردند.
محققان می‌گویند اگر چه این آزمایشات ساعتها زمان بردند، اما دارای نتایج قابل توجهی بودند. طی این آزمایشات، نخست گالیم با طلا واکنش نشان داد تا قطرات مایع طلا، گالیم را تشکیل دهد سپس گالیم و آرسنیک برای ایجاد یک لایه نازک از نانوسیم آرسنید گالیم در زیر قطرات با هم ترکیب شدند.
این تیم نشان داده است که در این آزمایشات، امکان دستکاری و تنظیم واکنش برای تنظیم درجه حرارت یا غلظت گاز نیز وجود دارد. با این کار می‌توان سیم را قادر ساخت تا آرسنید گالیم را در دو ساختار متفاوت رشد دهد. آنها می‌توانند بین این دو ساختار تغییر کرده و لایه‌های مختلفی را در بالای یکدیگر و در امتداد طول سیم بوجود آورند.
محققان بر این باورند که این توانایی به آنها اجازه ایجاد نانوسیم‌هایی با خواص بسیار خاص الکتریکی را می‌دهد که برای ایجاد دستگاه‌هایی مانند ترانزیستور مناسب است. اما آنها تا تولید ترانزیستورهای خود مونتاژ شونده هنوز راه زیادی در پیش دارند.
به گزارش ایسنا، این پژوهش در مجله Nature منتشر شده است.
No tags for this post.