محققان موسسه فیزیک مسکو روشی برای گرم شدن بیش از حد میکروپردازشگرهای اپتوالکترونیک ارائه کردند و با استفاده از آن پردازشگری ساختند که می تواند با سرعتی 10 هزار برابر سریعتر از پردازشگرهای رایج کار کند.
سرعت پردازشگرهای چند هسته ای که در حال حاضر در رایانه های پرسرعت استفاده می شود، بستگی زیادی به سرعت هر هسته ندارد بلکه به زمان انتقال داده ها میان هسته ها بستگی دارد.
سیم های مسی مورد استفاده در پردازشگرها موجب محدود شدن پهنای باند می شود؛ بنابراین این سیم ها پاسخگوی نیاز تولیدکنندگان پردازشگرهای پرسرعت نیستند زیرا با دوبرابر شدن تعداد هسته ها، توان پردازش دوبرابر نخواهد شد.
صنایع بزرگ نیمه هادی نظیر اینتل، IBM، اوراکل و HP تنها راه حل این مشکل را انتقال از الکترونیک به فتونیک می دانند و در حال حاضر میلیاردها دلار برای تحقیق روی این حوزه سرمایه گذاری کرده اند. در واقع به جای الکترون می توان از فوتون برای انتقال اطلاعات استفاده کرد و در نهایت با افزایش تعداد هسته ها، سرعت را نیز به همان نسبت افزایش داد.
این گروه تحقیقاتی نشان دادند که می توان از مواد رسانای گرمایی که به صورت لایه نازک هستند برای این منظور و کاهش دمای تراشه ها استفاده کرد. این لایه ها بین تراشه و سیستم خنک کننده قرار می گیرند تا گرمای تولید شده را از تراشه به بیرون منتقل کند.
به گزارش ایرنا از ستاد توسعه فناوری نانو، براساس نتایج شبیه سازی های این گروه اگر تراشه اپتوالکترونیک با راهنمای موج پلاسمونیک فعال در معرض هوا قرار گیرد، دما تا چند صددرجه افزایش می یابد. اما با استفاده از لایه نازک میکرو و نانومقیاس می توان این دما را به شدت کاهش داد.
استفاده از لایه های نازک نانومقیاس برای خنک کردن تراشه های رایانه ای
