جهشی بزرگ در عملکرد پردازنده های گرافیک کامپیوتری

شرکت کره ای سامسونگ الکترونیک به طور رسمی از آغاز تولید انبوه سریعترین ریز تراشه حافظه در جهان  با مشخصات 4 گیگا بایت حافظه با پهنای باند بالا (HBM)  و ریز تراشه دسترسی حافظه پویا از نوع dynamic random access memory (DRAM) خبر داد . بر اساس این گزارش ، ریز تراشه فوق هفت برابر سریع تر از نمونه های ارائه شده پیشین هستند .

این بسته موسوم به 4GB DRAM package بر پایه نسل دوم HBM (HBM2) ساخته شده و می تواند اطلاعات را با سرعتی بسیار بیشتر و در حدود هفت برابر فناوری های فعلی جا به جا کند .

این بسته موسوم به 4GB DRAM package بر پایه نسل دوم HBM (HBM2) ساخته شده و می تواند اطلاعات را با سرعتی بسیار بیشتر و در حدود هفت برابر فناوری های فعلی جا به جا کند . به گفته کارشناسان ، این ریز تراشه می تواند انقلابی بزرگ در محاسبات کامپیوتری ایجاد کرده و در سیستم های گرافیکی ، شبکه ها و خدمات سرورهای مختلف مورد استفاده قرار گیرد .

این ریز تراشه حافظه جدید از تکنولوژی پردازنده بیست نانومتری 20-nanometer process technology بهره جسته و طراحی آن به گونه ای است که مصرف انرژی بسیار کمتری داشته و در مقایسه با نمونه های قبلی از کارائی بسیار بیشتری برخوردار است .  

گفتنی است شرکت سامسونگ در بیانیه ای رسمی خبر از آغاز طراحی های لازم برای ساخت نمونه فوق الذکر با ظرفیت 8 گیگا بایت داده و اظهار امیدواری کرده است که این محصول در سال جاری میلادی تولید شود . ریز تراشه فوق الذکر به طور ویژه ای می تواند عملکرد کارت های گرافیکی را افزایش دهد .

منبع : xinhuanet

No tags for this post.