طراحی نخستین ترانزیستور سیلیکونی برای توسعه رایانه‌های پرسرعت
به گزارش ایسنا، سیلیسین دارای خواص الکترونیکی فوق‌العاده‌ای است، اما تولید و کار با این ماده بدلیل پیچیدگی و بی‌ثباتی آن در زمان قرار گرفتن در معرض هوا بسیار دشوار است.
با توجه به پیوستگی شیمیایی نزدیک سیلیسین با سیلیکون، امکان استفاده از آن در صنعت ساخت نیمه‌رسانا‌ها وجود دارد.
محققان بر این باورند، همانطور که گرافن مبتنی بر کربن به ضخامت یک اتم در ساخت تراشه‌ها کاربرد دارد، اتم‌های سیلیکون نیز می‌توانند در روشی مشابه مورد استفاده قرار بگیرند.
محققان دانشکده مهندسی Cockrell دانشگاه تگزاس موفق به تولید ترانزیستور از یک لایه از اتم‌های سیلیکون به ضخامت یک اتم شدند؛ این دستاورد شامل تولید در دمای پایین و ساخت دستگاه‌های سیلیسین برای نخستین‌بار بود.
با همکاری محققان موسسه میکروالکترونیک و میکروسیستم ایتالیا، یک روش جدید برای ساخت سیلیسین که اثرات قرار گرفتن در معرض هوا را کاهش می‌دهد، ابداع شد.
بخار گرم اتم‌های سیلیکون بر روی یک بلوک کریستالی نقره در محفظه خلأ بهم فشرده شدند؛ این کار باعث شکل‌گیری یک ورق سیلیسین بر روی لایه نازکی از نقره شد و یک لایه اکسید آلومینیوم (آلومینا) به ضخامت یک نانومتر بر روی آن قرار داده شد که در نقش لایه محافظ عمل می‌کند.
با خراش دادن لایه نقره، دو الکترود با یک نوار از سیلیسین در بین آنها ایجاد شد.
No tags for this post.
