بومی‌ سازی ابزاری برای مطالعه لایه‌ های نازک در سلول‌ های خورشیدی و پیل‌ های سوختی

یکی از شرکت‌های فناور موفق به ارائه دستگاه پتانسیواستات/گالوانواستات و طیف‌سنج امپدانس الکتروشیمیایی شده است که برای مطالعه فصل مشترک لایه‌های نازک در سلول‌های خورشیدی و پیــل‌هــای ســوختی مناسب است.

این دستگاه ابزار قدرتمندی جهت مطالعه خوردگی فلزات، پدیده‌های جذب و واجذب روی سطح الکترود، سینتیک واکنش‌های کاتالیستی و مطالعه فصل مشترک لایه‌های نازک است.

پتانسیواستات‌ها معمولا برای سنجش قطبش و تغییر پتانسیل یک ماده در خوردگی استفاده می‌شوند. همچنین می‌توان از آنها برای بررسی امپدانس در تست‌های خوردگی، پوشش‌دهی، حسگری و سایر آنالیزهای پایه‌ی الکتروشیمی استفاده کرد. این ادوات یکی از بهترین گزینه‌ها برای مطالعه‌ی تولیدکننده و ذخیره‌سازهای انرژی مانند باتری‌ها، پیل‌های سوختی، سل‌های خورشیدی و ابرخازن‌ها است.

این دستگاه عرضه شده توسط این شرکت یک ابزار الکتروشیمیایی کامل است که شامل روش‌های مرتبط با پتانسیواستات/گالوانواستات و طیف‌سنجی امپدانس الکتروشیمیایی است. در پتانسیواستات روش‌های الکتروشیمیایی استاندارد شامل ولتامتری با روبش خطی پتانسیل، ولتامتری چرخه‌ای، کرونو آمپرومتری، روش‌های پالس ولتامتری (پالس نرمال، پالس تفاضلی و موج مربع) ارائه شده‌اند.

محدوده ولتاژ ۵± یا ۱± ولت بوده و با قدرت تفکیک ۰٫۰۲۵ درصد Full range اندازه‌گیری می‌شود. سیستم تقویت ۸ پله‌ای امکان اندازه‌گیری جریان تا ۱ آمپر را فراهم می‌کند. در حالت گالوانواستات، با اعمال جریان با الگوهای مختلف امکان اندازه‌گیری ولتاژ بر حسب زمان (کرونو پتانسیومتری) و یا ولتاژ بر حسب جریان وجود دارد.

در روش طیف‌سنجی امپدانس الکتروشیمیایی (EIS)، محدوده‌ فرکانس ۱ میلی هرتز تا یک مگا هرتز بوده و با بکارگیری روش‌های متعدد کاهش نویز، اندازه‌گیری امپدانس با دقت بالایی امکانپذیر شده است. EIS ابزار قدرتمندی جهت مطالعه‌ی خوردگی فلزات، پدیده‌های جذب و واجذب بر روی سطح الکترود، سینتیک واکنش‌های کاتالیستی و مطالعه‌ فصل مشترک لایه‌ها در سلول‌های خورشیدی و پیـل‌هـای ســوختی است.

این دستگاه در مدل‌های PGS(پتانسیواستات-گالوانواستات) و EIS (اندازه‌گیری امپدانس) و PGE (پتانسیواستات-گالوانواستات-EIS) ارائه می‌شود.

No tags for this post.

دیدگاهتان را بنویسید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *

دکمه بازگشت به بالا