از این ترانزیستور می‌توان در ادوات الکترونیکی انعطاف‌پذیر استفاده کرد.این تیم تحقیقاتی درصدد مطالعه چگونگی رشد نیمه‌هادی‌های آلی مختلف دیگر روی این فیلم است.
پژوهشگران یک تیم تحقیقاتی از دانشگاه استنفورد، مؤسسه ملی علوم و فناوری اولسان و دانشگاه بیلفست انگلستان موفق به رشد لایه نازکی از جنس کربن 60 روی سطح گرافن شدند. این گروه با این کار موفق به ساخت ترانزیستور عمودی شدند که با استفاده از نیمه‌هادی‌ها تقویت شده است. این ترانزیستور جدید می‌تواند نرخ خاموش/روشن 3000 بار را داشته باشد. این گروه تحقیقاتی نشان دادند که با استفاده از این روش می‌توان گرافن را برای ساخت هتروساختارها به کار برد.
گرافن با خواص مکانیکی نظیر قدرت حرکت بار و استحکام مکانیکی بالا، کاربردهای متعددی در صنعت الکترونیک دارد. این تیم تحقیقاتی با استفاده از لایه نازک گرافنی موفق به ساخت ترانزیستور آلی شده است.
ژانگ باو، از محققان دانشگاه استنفورد، می گوید: «ما از جاذبه واندروالسی برای تولید هتروساختارهای گرافنی استفاده کردیم. سپس از این ساختار، ترانزیستور ساختیم. این ترانزیستور می‌تواند نرخ خاموش/روشن شدن بالایی داشته باشد.»
هر چند در ابتدای کشف گرافن، این ماده ابعاد کوچکی داشت اما در حال حاضر روش‌های مختلفی برای تولید گرافن با ابعاد بزرگ ارائه شده است. در این پروژه از یک فیلم گرافنی بزرگ استفاده شده است. سپس روی آن را با مولکول‌های C60 پوشش دادند تا بلوری لایه نازکی شکل بگیرد.
این گروه تحقیقاتی با استفاده از میکروسکوپ الکترونی عبوری (TEM) ساختار اتمی بلورها را روی گرافن مطالعه کردند. گرافن و C60 مواد بسیار مناسبی برای ساخت ادوات الکترونیکی انعطاف‌پذیر هستند؛ بنابراین محققان از آن‌ها برای ساخت ترانزیستور انعطاف‌پذیر استفاده کردند. این نوع ترانزیستور برای ساخت حسگرهای نوری و پیل‌های خورشیدی مناسب است.
به گزارش ستاد فناوری نانو،پژوهشگران این تیم تحقیقاتی درصدد مطالعه چگونگی رشد نیمه‌هادی‌های آلی مختلف روی این فیلم هستند. با این روش می‌توان خواص الکتریکی هتروساختارها را به دلخواه تنظیم کرد.
نتایج این پژوهش در قالب مقاله‌ای در نشریه ACS Nano منتشر شده است.